The formation of dislocations and their in-situ detection...

Materials Science and Engineering: B 1989 Vol. 4; Iss. 1-4

The formation of dislocations and their in-situ detection during silicon vapour phase epitaxy at reduced temperature

A.J. Pidduck, D.J. Robbins, I.M. Young, A.G. Cullis, A.S.R. Martin
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Volume:
4
Année:
1989
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/0921-5107(89)90280-8
Fichier:
PDF, 640 KB
english, 1989
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