Morphology of basal plane dislocations in 4H-SiC...

Morphology of basal plane dislocations in 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition

Zhang, X., Ha, S., Hanlumnyang, Y., Chou, C. H., Rodriguez, V., Skowronski, M., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.

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Volume:

101

Année:

2007

Langue:

english

Journal:

Journal of Applied Physics

DOI:

10.1063/1.2437585

Fichier:

PDF, 1.35 MB

english, 2007

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