The Impact of Random Dopant Aggregation in Source and Drain...

IEEE Transactions on Nanotechnology 2007 / 07 Vol. 6; Iss. 4

The Impact of Random Dopant Aggregation in Source and Drain on the Performance of Ballistic DG Nano-MOSFETs: A NEGF Study

Martinez, Antonio, Barker, John R., Svizhenko, Alexei, Anantram, M. P., Asenov, Asen
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Volume:
6
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions On Nanotechnology
DOI:
10.1109/tnano.2007.899638
Date:
July, 2007
Fichier:
PDF, 1.10 MB
english, 2007
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