Electron mobility in extremely thin single-gate...

Journal of Applied Physics 1999 Vol. 86; Iss. 11

Electron mobility in extremely thin single-gate silicon-on-insulator inversion layers

Gámiz, F., Roldán, J. B., Cartujo-Cassinello, P., Carceller, J. E., López-Villanueva, J. A., Rodriguez, S.
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Volume:
86
Année:
1999
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.371684
Fichier:
PDF, 321 KB
english, 1999
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