Silicon nitride films grown on silicon below 300 °C in low...

Applied Physics Letters 1986 Vol. 49; Iss. 2

Silicon nitride films grown on silicon below 300 °C in low power nitrogen plasma

Paloura, E., Nauka, K., Lagowski, J., Gatos, H. C.
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Volume:
49
Année:
1986
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.97363
Fichier:
PDF, 484 KB
english, 1986
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