Bias-assisted photoelectrochemical etching of p-GaN at 300...

Applied Physics Letters 2000 Vol. 77; Iss. 8

Bias-assisted photoelectrochemical etching of p-GaN at 300 K

Borton, J. E., Cai, C., Nathan, M. I., Chow, P., Van Hove, J. M., Wowchak, A., Morkoc, H.
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Volume:
77
Année:
2000
Langue:
english
Journal:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.1289807
Fichier:
PDF, 567 KB
english, 2000
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