Simulation of deep submicron SOI N-MOSFET considering the...

IEEE Electron Device Letters 1995 / 07 Vol. 16; Iss. 7

Simulation of deep submicron SOI N-MOSFET considering the velocity overshoot effect

Woo-Sung Choi,, Assaderaghi, F., Young-June Park,, Hong-Shick Min,, Chenming Hu,, Dutton, R.W.
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Volume:
16
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/55.388725
Date:
July, 1995
Fichier:
PDF, 279 KB
english, 1995
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