[IEEE 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - College Park, MD, USA (2011.12.7-2011.12.9)] 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - Characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor grown on 4 inch Si (111) substrate using formation of dot-like AlSixC1−x interlayer

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