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[IEEE 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) - Shanghai, China (2011.11.7-2011.11.9)] 2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium Proceeding - Modeling intrinsic and extrinsic asymmetry of 3D cylindrical gate/gate-all-around FETs for circuit simulations

Venugopalan, S., Chauhan, Y. S., Lu, D. D., Karim, M. A., Niknejad, Ali M., Hu, Chenming
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Année:
2011
Langue:
english
DOI:
10.1109/nvmts.2011.6137100
Fichier:
PDF, 853 KB
english, 2011
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