Two parameter model for predicting SEU rate [memory...

IEEE Transactions on Nuclear Science 1994 / 12 Vol. 41; Iss. 6

Two parameter model for predicting SEU rate [memory devices]

Miroshkin, V.V., Tverskoy, M.G.
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Volume:
41
Langue:
english
Journal:
IEEE Transactions on Nuclear Science
DOI:
10.1109/23.340546
Date:
December, 1994
Fichier:
PDF, 578 KB
english, 1994
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