Vertical Si-Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect...

Japanese Journal of Applied Physics 1994 / 4 Vol. 33; Iss. Part 1, No

Vertical Si-Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Channel Lengths of 50 nm by Molecular Beam Epitaxy

Gossner, Harald, Eisele, Ignaz, Risch, Lothar
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
33
Journal:
Japanese Journal of Applied Physics
DOI:
10.1143/JJAP.33.2423
Date:
April, 1994
Fichier:
PDF, 968 KB
1994
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué