Distribution of exit silicon ions over excited states after...

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 2007 Vol. 258; Iss. 2

Distribution of exit silicon ions over excited states after penetrating through carbon foils at 2.65, 4.3 and 6.0 MeV/u

T. Miyoshi, K. Noda, H. Tawara, I.Yu. Tolstikhina, V.P. Shevelko
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Volume:
258
Année:
2007
Langue:
english
Pages:
11
DOI:
10.1016/j.nimb.2007.01.284
Fichier:
PDF, 601 KB
english, 2007
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