Ultra shallow p+/n junction formation by plasma doping (PD)...

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 2005 Vol. 237; Iss. 1-2

Ultra shallow p+/n junction formation by plasma doping (PD) and long pulse all solid-state laser annealing (ASLA) with selective absorption modulation

C.G. Jin, Y. Sasaki, K. Okashita, H. Tamura, H. Ito, B. Mizuno, K. Tsutsui, S. Ohmi, H. Iwai
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Volume:
237
Année:
2005
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.nimb.2005.04.077
Fichier:
PDF, 158 KB
english, 2005
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