Development of n-on-p silicon sensors for very high...

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 2011 Vol. 636; Iss. 1-supp-S

Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments

Y. Unno, A.A. Affolder, P.P. Allport, R. Bates, C. Betancourt, J. Bohm, H. Brown, C. Buttar, J.R. Carter, G. Casse, H. Chen, A. Chilingarov, V. Cindro, A. Clark, N. Dawson, B. DeWilde, Z. Dolezal, L.
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Volume:
636
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
1
DOI:
10.1016/j.nima.2010.04.080
Fichier:
PDF, 1.39 MB
english, 2011
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