Highly Uniform Switching of Tantalum Embedded Amorphous...

IEEE Electron Device Letters 2011 / 03 Vol. 32; Iss. 3

Highly Uniform Switching of Tantalum Embedded Amorphous Oxide Using Self-Compliance Bipolar Resistive Switching

Lee, Chang Bum, Lee, Dong Soo, Benayad, Anass, Lee, Seung Ryul, Chang, Man, Lee, Myoung-Jae, Hur, Jihyun, Kim, Young Bae, Kim, Chang Jung, Chung, U-In
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Volume:
32
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/led.2010.2101044
Date:
March, 2011
Fichier:
PDF, 391 KB
english, 2011
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