Physical and electrical characterization of polysilicon vs....

Materials Science in Semiconductor Processing 2004 Vol. 7; Iss. 4-6

Physical and electrical characterization of polysilicon vs. TiN gate electrodes for HfO2 transistors

Patrick S. Lysaght, Jeff J. Peterson, Brendan Foran, Chadwin D. Young, Gennadi Bersuker, Howard R. Huff
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Volume:
7
Année:
2004
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/j.mssp.2004.09.111
Fichier:
PDF, 511 KB
english, 2004
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