Characterization of GaAs wire crystals grown on porous...

Journal of Applied Physics 1997 Vol. 82; Iss. 12

Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering

da Silva, S. W., Lubyshev, D. I., Basmaji, P., Pusep, Yu. A., Pizani, P. S., Galzerani, J. C., Katiyar, R. S., Morell, G.
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Volume:
82
Année:
1997
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.366511
Fichier:
PDF, 427 KB
english, 1997
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