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[IEEE 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Baltimore, MD, USA (2009.12.7-2009.12.9)] 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - A novel damage-free high-k etch technique using neutral beam-assisted atomic layer etching (NBALE) for sub-32nm technology node low power metal gate/high-k dielectric CMOSFETs

Min, K.S., Kang, C. Y., Park, C., Park, C. S., Park, B. J., Park, J. B., Hussain, M. M., Lee, Jack C., Lee, B. H., Kirsch, P., Tseng, H-H., Jammy, R., Yeom, G. Y.
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Année:
2009
Langue:
english
DOI:
10.1109/iedm.2009.5424330
Fichier:
PDF, 738 KB
english, 2009
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