Structural advantages of rectangular-like channel...

Microelectronics Reliability 2011 Vol. 51; Iss. 5

Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors

Soshi Sato, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kenji Ohmori, Kenji Natori, Keisaku Yamada, Hiroshi Iwai
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Volume:
51
Année:
2011
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/j.microrel.2010.12.007
Fichier:
PDF, 1.27 MB
english, 2011
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