Significantly improving sub-90 nm CMOSFET...

Microelectronics Reliability 2008 Vol. 48; Iss. 11-12

Significantly improving sub-90 nm CMOSFET performances with notch-gate enhanced high tensile-stress contact etch stop layer

Chia-Wei Hsu, Yean-Kuen Fang, Wen-Kuan Yeh, Chien-Ting Lin
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Volume:
48
Année:
2008
Langue:
english
Pages:
4
DOI:
10.1016/j.microrel.2008.08.002
Fichier:
PDF, 589 KB
english, 2008
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