Gate oxide failures due to anomalous stress from HBM ESD...

Microelectronics Reliability 2006 Vol. 46; Iss. 5-6

Gate oxide failures due to anomalous stress from HBM ESD testers

Charvaka Duvvury, Robert Steinhoff, Gianluca Boselli, Vijay Reddy, Hans Kunz, Steve Marum, Roger Cline
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Volume:
46
Année:
2006
Langue:
english
Pages:
10
DOI:
10.1016/j.microrel.2005.07.120
Fichier:
PDF, 280 KB
english, 2006
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