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[IEEE 2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC) - Hong Kong, Hong Kong (2013.06.3-2013.06.5)] 2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-state Circuits - Analytical model for an extended field plate effect on trench LDMOS with high-k permittivity

Xiarong Hu,, Bo Zhang,, Xiaorong Luo,, Yongheng Jiang,, Kun Zhou,, Zhaoji Li,
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Année:
2013
Langue:
english
DOI:
10.1109/edssc.2013.6628106
Fichier:
PDF, 714 KB
english, 2013
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