Thermal stability of Ni silicide films on heavily doped n+...

Microelectronic Engineering 2008 Vol. 85; Iss. 7

Thermal stability of Ni silicide films on heavily doped n+ and p+ Si substrates

Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Iwai
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Volume:
85
Année:
2008
Langue:
english
Pages:
5
DOI:
10.1016/j.mee.2008.04.001
Fichier:
PDF, 737 KB
english, 2008
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