A compact DC model of gate oxide short defect

Microelectronic Engineering 2004 Vol. 72; Iss. 1-4

A compact DC model of gate oxide short defect

R. Bouchakour, J.M. Portal, J.M. Gallière, F. Azais, Y. Bertrand, M. Renovell
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Volume:
72
Année:
2004
Langue:
english
Pages:
9
DOI:
10.1016/j.mee.2003.12.051
Fichier:
PDF, 250 KB
english, 2004
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