High performance bipolar resistive switching memory devices...

Nanoscale 2012 Vol. 4; Iss. 8

High performance bipolar resistive switching memory devices based on Zn2SnO4 nanowires

Dong, Haibo, Zhang, Xiaoxian, Zhao, Duan, Niu, Zhiqiang, Zeng, Qingsheng, Li, Jinzhu, Cai, Le, Wang, Yanchun, Zhou, Weiya, Gao, Min, Xie, Sishen
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Volume:
4
Année:
2012
Langue:
english
Journal:
Nanoscale
DOI:
10.1039/c2nr30133d
Fichier:
PDF, 854 KB
english, 2012
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