Experimental Ion-Implanted Bubble Memory Device With 16-μm...

AT&T Bell Laboratories Technical Journal 1984 / 02 Vol. 63; Iss. 2

Experimental Ion-Implanted Bubble Memory Device With 16-μm 2 Cell

Nelson, T. J., Muehlner, D. J., Rana, V. V. S., Roman, B. J., Vella-Coleiro, G. P.
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Volume:
63
Langue:
english
Journal:
AT&T Bell Laboratories Technical Journal
DOI:
10.1002/j.1538-7305.1984.tb00097.x
Date:
February, 1984
Fichier:
PDF, 1.59 MB
english, 1984
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