A Novel 1200-V LDMOSFET With Floating Buried Layer in...

IEEE Electron Device Letters 2008 / 06 Vol. 29; Iss. 6

A Novel 1200-V LDMOSFET With Floating Buried Layer in Substrate

Cheng, Jianbing, Zhang, Bo, Li, Zhaoji
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Volume:
29
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/LED.2008.922731
Date:
June, 2008
Fichier:
PDF, 340 KB
english, 2008
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