Raman Studies of Carbon-Doped GaAs Layers Grown by a...

Crystal Growth & Design 2008 / 02 Vol. 8; Iss. 2

Raman Studies of Carbon-Doped GaAs Layers Grown by a Metallic-Arsenic-Based Metalorganic Chemical Vapor Deposition System

Delgado-Macuil, R., Rojas-López, M., Díaz-Reyes, J., Galván-Arellano, M., Peña-Sierra, R.
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Volume:
8
Langue:
english
Journal:
Crystal Growth & Design
DOI:
10.1021/cg0607452
Date:
February, 2008
Fichier:
PDF, 71 KB
english, 2008
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