On the mechanism for interface trap generation in MOS...

IEEE Electron Device Letters 2000 / 01 Vol. 21; Iss. 1

On the mechanism for interface trap generation in MOS transistors due to channel hot carrier stressing

Zhi Chen,, Karl Hess,, Jinju Lee,, Lyding, J.W., Rosenbaum, E., Kizilyalli, I., Chetlur, S., Huang, R.
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Volume:
21
Langue:
english
Journal:
IEEE Electron Device Letters
DOI:
10.1109/55.817441
Date:
January, 2000
Fichier:
PDF, 58 KB
english, 2000
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