[IEEE 2012 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) - Suita, Japan (2012.05.9-2012.05.11)] 2012 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai - Improvement of drain leakage current characteristics in metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor by asymmetric source-drain structure

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