Electrical properties of hafnium oxide gate dielectric...

Integrated Ferroelectrics 2001 / 01 Vol. 38; Iss. 1-4

Electrical properties of hafnium oxide gate dielectric deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Choi, Kyu-Jeong, Shin, Woong-Chul, Park, Jong-Bong, Yoon, Soon-Gil
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Volume:
38
Langue:
english
Journal:
Integrated Ferroelectrics
DOI:
10.1080/10584580108016932
Date:
January, 2001
Fichier:
PDF, 403 KB
english, 2001
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