Effect of P/E Cycling on Drain Disturb in Flash EEPROMs...

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 2004 Vol. 4; Iss. 1

Effect of P/E Cycling on Drain Disturb in Flash EEPROMs Under CHE and CHISEL Operation

D. Nair, N. Mohapatra, S. Mahapatra, S. Shukuri, J. Bude
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Volume:
4
Année:
2004
Langue:
english
DOI:
10.1109/TDMR.2004.824371
Fichier:
PDF, 209 KB
english, 2004
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