Conduction mechanism of resistive switching films in MgO...

Journal of Applied Physics 2012 Vol. 111; Iss. 9

Conduction mechanism of resistive switching films in MgO memory devices

Chiu, Fu-Chien, Shih, Wen-Chieh, Feng, Jun-Jea
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Volume:
111
Année:
2012
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.4712628
Fichier:
PDF, 566 KB
english, 2012
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