Silicon–germanium nanowire tunnel-FETs with homo- and...

Solid-State Electronics 2014 / 08 Vol. 98

Silicon–germanium nanowire tunnel-FETs with homo- and heterostructure tunnel junctions

Richter, S., Blaeser, S., Knoll, L., Trellenkamp, S., Fox, A., Schäfer, A., Hartmann, J.M., Zhao, Q.T., Mantl, S.
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Volume:
98
Langue:
english
Journal:
Solid-State Electronics
DOI:
10.1016/j.sse.2014.04.014
Date:
August, 2014
Fichier:
PDF, 2.36 MB
english, 2014
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