Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN...

Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN nanowires

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Volume:

Langue:

english

Journal:

Nanotechnology

DOI:

10.1088/0957-4484/23/13/135703

Date:

April, 2012

Fichier:

PDF, 803 KB

english, 2012

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