High quality Ge surface passivation layer formed by thermal...

Microelectronic Engineering 2013 / 09 Vol. 109

High quality Ge surface passivation layer formed by thermal oxidation of Y/Ge structure

Wu, Min-Lin, Wu, Yung-Hsien, Lyu, Rong-Jhe, Chao, Chun-Yen, Wu, Chao-Yi, Lin, Chia-Chun, Chen, Lun-Lun
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
109
Langue:
english
Journal:
Microelectronic Engineering
DOI:
10.1016/j.mee.2013.03.075
Date:
September, 2013
Fichier:
PDF, 1.22 MB
english, 2013
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué