Far-infrared radiation fromn-InGaAs/GaAs quantum-well...

Semiconductors 2014 / 05 Vol. 48; Iss. 5

Far-infrared radiation fromn-InGaAs/GaAs quantum-well heterostructures in high lateral electric fields under injection conditions

Belevskii, P. A., Vinoslavkii, M. N., Poroshin, V. N., Baidus, N. V., Zvonkov, B. N.
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Volume:
48
Langue:
english
Journal:
Semiconductors
DOI:
10.1134/S1063782614050029
Date:
May, 2014
Fichier:
PDF, 185 KB
english, 2014
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