Highly sensitive phototransistors based on two-dimensional...

Nano Research 2014 / 05 Vol. 7; Iss. 5

Highly sensitive phototransistors based on two-dimensional GaTe nanosheets with direct bandgap

Hu, Pingan, Zhang, Jia, Yoon, Mina, Qiao, Xiao-Fen, Zhang, Xin, Feng, Wei, Tan, Pingheng, Zheng, Wei, Liu, Jingjing, Wang, Xiaona, Idrobo, Juan C., Geohegan, David B., Xiao, Kai
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Volume:
7
Langue:
english
Journal:
Nano Research
DOI:
10.1007/s12274-014-0430-2
Date:
May, 2014
Fichier:
PDF, 2.00 MB
english, 2014
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