Ultra low-resistance palladium silicide Ohmic contacts to...

Journal of Applied Physics 2012 Vol. 112; Iss. 5

Ultra low-resistance palladium silicide Ohmic contacts to lightly doped n-InGaAs

Yearsley, J. D., Lin, J. C., Hwang, E., Datta, S., Mohney, S. E.
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Volume:
112
Année:
2012
Langue:
english
Journal:
Journal of Applied Physics
DOI:
10.1063/1.4748178
Fichier:
PDF, 1.47 MB
english, 2012
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