Silicon dioxide and silicon nitride as a passivation and...

Diamond and Related Materials 2005 / 3 Vol. 14; Iss. 3-7

Silicon dioxide and silicon nitride as a passivation and edge termination for 4H-SiC Schottky diodes

Sochacki, Mariusz, Lukasiewicz, Radoslaw, Rzodkiewicz, Witold, Werbowy, Aleksander, Szmidt, Jan, Staryga, Elzbieta
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Volume:
14
Langue:
english
Journal:
Diamond and Related Materials
DOI:
10.1016/j.diamond.2004.12.020
Date:
March, 2005
Fichier:
PDF, 126 KB
english, 2005
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