Plasma enhanced deposition of ‘silicon nitride’ for use as...

Vacuum 1984 Vol. 34; Iss. 1-2

Plasma enhanced deposition of ‘silicon nitride’ for use as an encapsulant for silicon ion-implanted gallium arsenide

DC Bartle, DC Andrews, JD Grange, PG Harris, AD Trigg, DK Wickenden
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Volume:
34
Année:
1984
Langue:
english
Pages:
6
DOI:
10.1016/0042-207x(84)90148-9
Fichier:
PDF, 422 KB
english, 1984
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