Formation of SiO2/Si structure with low interface state...

Current Applied Physics 2012 / 12 Vol. 12

Formation of SiO2/Si structure with low interface state density by atmospheric-pressure VHF plasma oxidation

Zhuo, Zeteng, Sannomiya, Yuta, Goto, Kazuma, Yamada, Takahiro, Ohmi, Hiromasa, Kakiuchi, Hiroaki, Yasutake, Kiyoshi
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Volume:
12
Langue:
english
Journal:
Current Applied Physics
DOI:
10.1016/j.cap.2012.04.015
Date:
December, 2012
Fichier:
PDF, 719 KB
english, 2012
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