Growth and properties of TiN and TiOxNy diffusion barriers...

Thin Solid Films 1987 Vol. 153; Iss. 1-3

Growth and properties of TiN and TiOxNy diffusion barriers in silicon on sapphire integrated circuits

N. Kumar, M.G. Fissel, K. Pourrezaei, B. Lee, E.C. Douglas
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Volume:
153
Année:
1987
Langue:
english
Pages:
15
DOI:
10.1016/0040-6090(87)90190-8
Fichier:
PDF, 981 KB
english, 1987
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