Investigation of the reactive properties of diffused Si p-n...

Solid-State Electronics 1968 Vol. 11; Iss. 2

Investigation of the reactive properties of diffused Si p-n junctions in the region of high injection levels and strong electric fields

G.B. Abdullayev, E.A. Jafarova, Z.A. Iskender-Zade, V.E. Chelnokov, Sh. Alikhanova, A.Z. Badalov, M.R. Akhundov
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Volume:
11
Année:
1968
Langue:
english
Pages:
7
DOI:
10.1016/0038-1101(68)90084-1
Fichier:
PDF, 521 KB
english, 1968
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