Temperature dependences of threshold voltage and...

Microelectronics Reliability 2014 / 06 Vol. 54; Iss. 6-7

Temperature dependences of threshold voltage and drain-induced barrier lowering in 60nm gate length MOS transistors

Chen, Zehua, Wong, Hei, Han, Yan, Dong, Shurong, Yang, B.L.
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Volume:
54
Langue:
english
Journal:
Microelectronics Reliability
DOI:
10.1016/j.microrel.2013.12.005
Date:
June, 2014
Fichier:
PDF, 1.15 MB
english, 2014
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