Hole Carriers Doping Effect on the Metal–Insulator...

The Journal of Physical Chemistry C 2014 / 06 Vol. 118; Iss. 24

Hole Carriers Doping Effect on the Metal–Insulator Transition of N-Incorporated Vanadium Dioxide Thin Films

Zhang, Wenhua, Wang, Kai, Fan, Lele, Liu, Lingyun, Guo, Panpan, Zou, Chongwen, Wang, Jiaou, Qian, Haijie, Ibrahim, Kurash, Yan, Wensheng, Xu, Faqiang, Wu, Ziyu
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Volume:
118
Langue:
english
Journal:
The Journal of Physical Chemistry C
DOI:
10.1021/jp502000s
Date:
June, 2014
Fichier:
PDF, 1.39 MB
english, 2014
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