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[IEEE 2014 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC) - San Francisco, CA, USA (2014.02.9-2014.02.13)] 2014 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC) - 19.7 A 16Gb ReRAM with 200MB/s write and 1GB/s read in 27nm technology

Fackenthal, Richard, Kitagawa, Makoto, Otsuka, Wataru, Prall, Kirk, Mills, Duane, Tsutsui, Keiichi, Javanifard, Jahanshir, Tedrow, Kerry, Tsushima, Tomohito, Shibahara, Yoshiyuki, Hush, Glen
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Année:
2014
Langue:
english
DOI:
10.1109/ISSCC.2014.6757460
Fichier:
PDF, 1.12 MB
english, 2014
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