Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC...

Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC polytype during SiC crystal growth: An atomistic computational approach

Kang, Kyung-Han, Eun, Taihee, Jun, Myong-Chul, Lee, Byeong-Joo
Avez-vous aimé ce livre?
Quelle est la qualité du fichier téléchargé?
Veuillez télécharger le livre pour apprécier sa qualité
Quelle est la qualité des fichiers téléchargés?
Volume:
389
Langue:
english
Journal:
Journal of Crystal Growth
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2013.12.007
Date:
March, 2014
Fichier:
PDF, 9.78 MB
english, 2014
La conversion en est effectuée
La conversion en a échoué