Growth techniques to reduce V-defect density in GaN and...

Physica status solidi 2014 / 02 Vol. 11; Iss. 3-4

Growth techniques to reduce V-defect density in GaN and AlGaN layers grown on 200 mm Si (111) substrate

Liang, Hu, Saripalli, Yoga, Kandaswamy, Prem Kumar, Carlson, Eric Porter, Favia, Paola, Richard, Olivier, Bender, Hugo, Zhao, Ming, Thapa, Sarad Bahadur, Vancoille, Eric
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Volume:
11
Langue:
english
Journal:
physica status solidi (c)
DOI:
10.1002/pssc.201300555
Date:
February, 2014
Fichier:
PDF, 796 KB
english, 2014
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