Molecular beam epitaxy using bismuth as a constituent in...

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 2014 / 03 Vol. 32; Iss. 2

Molecular beam epitaxy using bismuth as a constituent in InAs and a surfactant in InAs/InAsSb superlattices

Webster, Preston T., Riordan, Nathaniel A., Gogineni, Chaturvedi, Liu, Shi, Lu, Jing, Zhao, Xin-Hao, Smith, David J., Zhang, Yong-Hang, Johnson, Shane R.
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Volume:
32
Langue:
english
Journal:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
DOI:
10.1116/1.4868111
Date:
March, 2014
Fichier:
PDF, 1.72 MB
english, 2014
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